在IEDM2024大会上，台积电揭开了其2nm工艺的神秘面纱，夺目先容了关键本事细节和性能考虑：与3nm工艺比较幼女调教，晶体管密度栽培15%，在交流功耗下性能提高15%，而在交流性能下功耗裁减24-35%。这是台积电初度汲取全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，这一本事有助于优化通谈宽度，已毕性能与能效的均衡。

新工艺还引入了NanoFlexDTCO，这是一种策动本事麇集优化，约略竖立出更矮、能效更优或更高性能的单元。台积电2nm工艺还集成了第三代偶极子，包括N型和P型，搭救六个电压阈值档(6-Vt)，边界在200mV。这些改良使得N型和P型纳米片晶体管的I/CV速率分袂栽培了70%和110%。

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相较于传统的FinFET晶体管，新工艺的纳米片晶体管在0.5-0.6V的低电压下能效权贵栽培，频率可提高约20%，待机功耗裁减约75%。SRAM密度也创下了新高，达到每正常毫米约38Mb。台积电2nm工艺还汲取了全新的MOL中段工艺和BEOL后段工艺，电阻裁减20%，进一步提高了能效。

值得一提的是，第一层金属层(M1)当今不错通过一步蚀刻(1P1E)和一次EVU曝光完成，大大简化了工艺复杂度和光罩数目。针对高性能筹谋诳骗幼女调教，台积电2nm工艺还引入了超高性能的SHP-MiM电容，每正常毫米的容量大致为200fF，以已毕更高的初始频率。台积电示意，自28nm工艺以来，历程六代工艺的改良，单元面积的能效比还是栽培了特出140倍！